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ホーム 事業紹介 特殊研磨加工


日本最大級の電解システム

 極細径管・チューブから大口径までの複雑形状部品を対象とした
 内面特殊研磨技術を駆使しての研磨加工・研磨技術:電解研磨・
 ドライ研磨・ウェット特殊研磨・ウェット特殊処理
 高い清浄度が要求される半導体製造設備のパイプラインの内面加工には
 複合研磨技術を持つ熟練技術者で対応します。

 関連会社 メッキ部門とのコラボレーションにより非常に耐食性に優れた酸化
 皮膜処理にも対応、他社との差別化を図っています。

 
  超精密研磨       内面研磨



 

 

 

 

 

 ◇技術

 次世代の半導体・液晶などの製造装置ガス供給システムにおいて、
超高純度ガスの純度を下げることなくユースポイントに送るために精密研磨・処理技術を用いて、
超清浄な表面状態を実現する事に貢献しています。


 Buffing処理 ▲top

 #100、#150、#200、#250、#400のエメリー、ライム、酸化クロム(青棒)、サイザル、ワイヤーと幅広く取り揃えています。
ヘアーライン加工から鏡面加工までの研磨が可能です。


 EPD(Electrolytic Polishing of Dipping)処理(浸責型電解研磨) ▲top

 リン酸、硫酸、クロム酸を基本主成分とし浴中にワークを浸責し電解を行う方法です。
 切削加工後、表面の微細バリ処理等の複雑な形状にも有効です。
  又当社のEPDは特殊電源(PR電解法)を採用しており表面スクラッチ、ガスピット等の
 表面欠陥を極力抑えた良好な研磨面が得られます。


 EMP (Electrolytic Machining and Polishing)処理(加工型電解研磨) ▲top

電解加工技術に特殊な波形電流を組み合わせることにより加工速度と面粗度を高次元で可能にした画期的な電解研磨方法。研 磨処理後の面粗度はRa0.1~0.2μm程度(前加工における面粗度によります)に仕上げることが可能です。
 又機械切削加工後、直接研磨加工(流体研磨等の前研磨処理不要)が出来ますので、短納期と低コストを実現しています。


    


 CCP(Chemical Combination Polishing)処理 (化学複合研磨) ▲top

 微小砥粒をコンポジットした化学研磨液を用いて特殊な工具で研磨する方法です。
 メカニカルな研磨と化学研磨液とを組み合わせた新しい研磨方法と言えます。
 EMP処理のような専用治工具も必要とせず、小ロット品においては研磨納期が
 大幅に短縮でき、コスト低減も可能にしました。
 研磨加工後の面粗度はRa0.1μm程度(前加工における面粗度によります)に仕上げることが可能です。

    


 ECP(Electro Combination Polishing) 処理(化学複合研磨) ▲top       

 電解によりワーク表面の凹凸面を陽極酸化させ機械的研磨にて凹凸面の凸面のみを除去し凹面は酸化皮膜で
 保護するという研磨技術。
 この研磨の特色は凸面のみを選択的に研磨するので研磨しろが少なく加工できることや、
 電解によるガスピットなどの発生も皆無である等が特徴に挙ます。
 又砥粒研磨後の最終洗浄研磨としても優れた洗浄性能を発揮します。


 DP(Dipping Passivation) (酸化皮膜生成処理) ▲top

 硝酸を主成分とする溶液に数時間浸責する事により非常に良好な耐食性を示す表面が得られます。
 これは表層が硝酸により酸化され表面がクロムリッチで非常に不活性になることで得られます。


 CO(Chromium Oxide Treatment)(クロメート処理) ▲top

 クロム酸、硫酸、硝酸系の溶液に浸責する事により非常に良好な耐食性クロメート皮膜の生成が可能となります。



 電解研磨 ▲top    

 陽極に被研磨品(ステンレス製品)、陰極に電極を取り付け電解液中で処理します。

電解研磨イメージ

 

 ◇ご依頼からお引渡しまでの流れ(工程フロー) ▲top

工程フロー

 ◇検査体制 ▲top

 







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